maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / IHB5BV2R7M
Référence fabricant | IHB5BV2R7M |
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Numéro de pièce future | FT-IHB5BV2R7M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IHB |
IHB5BV2R7M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 2.7µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 36.2A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 2 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 130°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 1.600" Dia (40.64mm) |
Hauteur - assis (max) | 1.450" (36.83mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB5BV2R7M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IHB5BV2R7M-FT |
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XCV50E-6FG256I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P060-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-1FB484C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FF1761I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H4F34E3SG
Intel
EP3C25F324I7
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel