maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / IHB5BV2R2M
Référence fabricant | IHB5BV2R2M |
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Numéro de pièce future | FT-IHB5BV2R2M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IHB |
IHB5BV2R2M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 36.2A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 2 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 130°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 1.600" Dia (40.64mm) |
Hauteur - assis (max) | 1.450" (36.83mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB5BV2R2M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IHB5BV2R2M-FT |
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Xilinx Inc.
XC2S100-6FGG256C
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208
Microsemi Corporation
EP4CE10E22I8LN
Intel
5SGXEABK2H40I2LN
Intel
5SGXMABK2H40I3LN
Intel
A42MX09-PL84I
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K3F35E2SG
Intel
EP3C80F780C7N
Intel