maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / IHB4BV4R7M
Référence fabricant | IHB4BV4R7M |
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Numéro de pièce future | FT-IHB4BV4R7M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IHB |
IHB4BV4R7M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 4.7µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 27.6A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 3 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 130°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 1.600" Dia (40.64mm) |
Hauteur - assis (max) | 1.030" (26.16mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB4BV4R7M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IHB4BV4R7M-FT |
IHB2EB2R2M
Vishay Dale
IHB2EB2R7M
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IHB2EB330K
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IHB2EB470K
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ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel