maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / IHB4BV221K
Référence fabricant | IHB4BV221K |
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Numéro de pièce future | FT-IHB4BV221K |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IHB |
IHB4BV221K Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 220µH |
Tolérance | ±10% |
Note actuelle | 6.8A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 50 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 130°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 1.600" Dia (40.64mm) |
Hauteur - assis (max) | 1.030" (26.16mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB4BV221K Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IHB4BV221K-FT |
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Lattice Semiconductor Corporation
AT40K40LV-3BQC
Microchip Technology
XCVU080-H1FFVD1517E
Xilinx Inc.
XC3S1600E-4FG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484I
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M1A3P600-2PQ208I
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG484I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQG100
Microsemi Corporation
LFE2M50E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EQC208-2XN
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