maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / IHB3BV8R2M
Référence fabricant | IHB3BV8R2M |
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Numéro de pièce future | FT-IHB3BV8R2M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IHB |
IHB3BV8R2M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 8.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 17.6A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 4 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 130°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 1.100" Dia (27.94mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.840" (21.34mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB3BV8R2M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IHB3BV8R2M-FT |
IHB2BV180K
Vishay Dale
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XC6SLX100T-4FGG900C
Xilinx Inc.
XC3S400-4PQG208C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-1300E-5UWG36CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
ICE5LP1K-SWG36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX75DF27I7N
Intel
EPF10K30EFC484-2X
Intel
EP4SE360H29C2
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EP4CE10E22C7N
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XC7K355T-3FFG901E
Xilinx Inc.
EP2S130F1020C5N
Intel