maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / IHB2EB6R8M
Référence fabricant | IHB2EB6R8M |
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Numéro de pièce future | FT-IHB2EB6R8M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IHB |
IHB2EB6R8M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 6.8µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 11.4A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 7 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 130°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.825" Dia (20.96mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.840" (21.34mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB2EB6R8M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IHB2EB6R8M-FT |
IHB1BV220K
Vishay Dale
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XC6SLX45-2FGG676C
Xilinx Inc.
XCKU060-2FFVA1517E
Xilinx Inc.
AT40K10-2DQC
Microchip Technology
5SGXEA9K3H40I3N
Intel
XC5VLX330T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
A3P600-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-3MG132IR1
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70DF29I3
Intel