maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / IHB2EB4R7M
Référence fabricant | IHB2EB4R7M |
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Numéro de pièce future | FT-IHB2EB4R7M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IHB |
IHB2EB4R7M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 4.7µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 13.5A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 5 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 130°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.825" Dia (20.96mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.840" (21.34mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB2EB4R7M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IHB2EB4R7M-FT |
IHB1BV120K
Vishay Dale
IHB1BV121K
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EPF10K20TC144-4
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LFEC3E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010-1VF400
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40I2N
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6F672C
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LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29C6ES
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