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Référence fabricant | IHB2BV4R7M |
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Numéro de pièce future | FT-IHB2BV4R7M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IHB |
IHB2BV4R7M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 4.7µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 13.5A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 5 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 130°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.825" Dia (20.96mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.840" (21.34mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB2BV4R7M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IHB2BV4R7M-FT |
S4924R-563J
API Delevan Inc.
S4924R-563K
API Delevan Inc.
S4924R-564H
API Delevan Inc.
S4924R-564J
API Delevan Inc.
S4924R-564K
API Delevan Inc.
S4924R-565H
API Delevan Inc.
S4924R-565J
API Delevan Inc.
S4924R-565K
API Delevan Inc.
S4924R-681H
API Delevan Inc.
S4924R-681J
API Delevan Inc.
XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
Intel