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Infineon Technologies IGO60R070D1AUMA1

Numéro de pièce MFG
IGO60R070D1AUMA1
quantité disponible
18420 Pièces
Prix de référence
USD 14.267744
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
CoolGaN™ IC GAN FET 600V 60A 20DSO
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IGO60R070D1AUMA1.pdf
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IGO60R070D1AUMA1 Caractéristiques

Référence fabricant IGO60R070D1AUMA1
Numéro de pièce future FT-IGO60R070D1AUMA1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries CoolGaN™
IGO60R070D1AUMA1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss) 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 31A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 2.6mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 400V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur PG-DSO-20-85
Paquet / caisse 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IGO60R070D1AUMA1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IGO60R070D1AUMA1-FT

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