maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / IDW40G65C5BXKSA1
Référence fabricant | IDW40G65C5BXKSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IDW40G65C5BXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolSiC™ |
IDW40G65C5BXKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 650V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 20A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 210µA @ 650V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDW40G65C5BXKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IDW40G65C5BXKSA1-FT |
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DSEE30-12A
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