maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / IDW30G65C5FKSA1
Référence fabricant | IDW30G65C5FKSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IDW30G65C5FKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolSiC™ |
IDW30G65C5FKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 650V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 30A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 30A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1.1mA @ 650V |
Capacité @ Vr, F | 860pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO247-3 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDW30G65C5FKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IDW30G65C5FKSA1-FT |
DSEP75-06AR
IXYS
DSEP9-06CR
IXYS
DSEI12-12A
IXYS
DSEI20-12A
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DSI30-16A
IXYS
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Xilinx Inc.
AT40K20-2EQC
Microchip Technology
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
LCMXO1200E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
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Intel