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Référence fabricant | IDT71V416YS10PH |
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Numéro de pièce future | FT-IDT71V416YS10PH |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IDT71V416YS10PH Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Asynchronous |
Taille mémoire | 4Mb (256K x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 10ns |
Temps d'accès | 10ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 44-TSOP II |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDT71V416YS10PH Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IDT71V416YS10PH-FT |
R1LV3216RSD-5SI#S0
Renesas Electronics America
R1LV3216RSD-7SI#B0
Renesas Electronics America
R1LV3216RSD-7SI#S0
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IDT71016S12PH
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71016S12PH8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71016S12PHI
IDT, Integrated Device Technology Inc
EPF10K30ATI144-3N
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A54SX32A-2FGG484I
Microsemi Corporation
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A54SX16-1VQ100I
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5SGSMD5H2F35I3L
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A40MX04-FPL84
Microsemi Corporation
LFXP6C-4F256I
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LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I3N
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