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Infineon Technologies IDP30E65D1XKSA1
- Numéro de pièce MFG
- IDP30E65D1XKSA1
- quantité disponible
- 14330 Pièces
- Prix de référence
- USD 1.584
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Infineon Technologies
- Brève description
- - DIODE GEN PURP 650V 60A TO220-2
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Diodes - Redresseurs - Simple
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- IDP30E65D1XKSA1.pdf
IDP30E65D1XKSA1 Caractéristiques
| Référence fabricant | IDP30E65D1XKSA1 |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-IDP30E65D1XKSA1 |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| IDP30E65D1XKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de diode | Standard |
| Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 650V |
| Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 60A (DC) |
| Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 30A |
| La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 64ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 40µA @ 650V |
| Capacité @ Vr, F | - |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / caisse | TO-220-2 |
| Package d'appareils du fournisseur | PG-TO220-2-1 |
| Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 175°C |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IDP30E65D1XKSA1 Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | IDP30E65D1XKSA1-FT |
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