maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / IDH12G65C5XKSA1
Référence fabricant | IDH12G65C5XKSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IDH12G65C5XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolSiC™ |
IDH12G65C5XKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 650V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 12A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 12A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 190µA @ 650V |
Capacité @ Vr, F | 360pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO220-2 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDH12G65C5XKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IDH12G65C5XKSA1-FT |
BAS3010S02LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT1502ELE6327XTMA1
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BAS1602LE6327XTMA1
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BAT5402LRHE6327XTSA1
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A3PE600-2FGG484
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XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
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