maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / IDH04G65C6XKSA1
Référence fabricant | IDH04G65C6XKSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IDH04G65C6XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IDH04G65C6XKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 650V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 12A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.35V @ 4A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 14µA @ 420V |
Capacité @ Vr, F | 205pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO220-2 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDH04G65C6XKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IDH04G65C6XKSA1-FT |
DSI30-16AS-TUB
IXYS
DSEI36-06AS-TUB
IXYS
DSI30-12AS-TUB
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DSEI19-06AS
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IXYS
XCS40XL-5PQG208C
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Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
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A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
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5SGSED6N2F45C2N
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EP2SGX90EF1152C3ES
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LFE2M100SE-5FN900I
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5AGXBB7D4F35C4N
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