maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / IDDD10G65C6XTMA1
Référence fabricant | IDDD10G65C6XTMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IDDD10G65C6XTMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolSiC™ |
IDDD10G65C6XTMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 650V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 29A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 33µA @ 420V |
Capacité @ Vr, F | 495pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 10-PowerSOP Module |
Package d'appareils du fournisseur | PG-HDSOP-10-1 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDDD10G65C6XTMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IDDD10G65C6XTMA1-FT |
DSA17-12A
IXYS
DSA17-16A
IXYS
DSA17-18A
IXYS
DSA9-12F
IXYS
DSA9-16F
IXYS
DSA9-18F
IXYS
DSAI17-12A
IXYS
DSAI17-16A
IXYS
DSAI17-18A
IXYS
DSI17-12A
IXYS
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel