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Référence fabricant | IDC5020ER470M |
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Numéro de pièce future | FT-IDC5020ER470M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IDC-5020 |
IDC5020ER470M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 47µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.8A |
Courant - Saturation | 1.6A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 140 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.510" L x 0.370" W (12.95mm x 9.40mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.205" (5.21mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDC5020ER470M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IDC5020ER470M-FT |
8250-331K-RC
Bourns Inc.
8250-333K-RC
Bourns Inc.
8250-393K-RC
Bourns Inc.
8250-3R3K-RC
Bourns Inc.
8250-471K-RC
Bourns Inc.
8250-472K-RC
Bourns Inc.
8250-473K-RC
Bourns Inc.
8250-563K-RC
Bourns Inc.
8250-5R6K-RC
Bourns Inc.
8250-681K-RC
Bourns Inc.
LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
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M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
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M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel