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Référence fabricant | IDC5020ER101M |
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Numéro de pièce future | FT-IDC5020ER101M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IDC-5020 |
IDC5020ER101M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 100µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.3A |
Courant - Saturation | 1.2A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 280 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.510" L x 0.370" W (12.95mm x 9.40mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.205" (5.21mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDC5020ER101M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IDC5020ER101M-FT |
8250-100K-RC
Bourns Inc.
8250-101K-RC
Bourns Inc.
8250-102K-RC
Bourns Inc.
8250-104K-RC
Bourns Inc.
8250-123K-RC
Bourns Inc.
8250-151K-RC
Bourns Inc.
8250-152K-RC
Bourns Inc.
8250-183K-RC
Bourns Inc.
8250-220K-RC
Bourns Inc.
8250-221K-RC
Bourns Inc.
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation