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Référence fabricant | IDC08D120T6MX1SA2 |
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Numéro de pièce future | FT-IDC08D120T6MX1SA2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IDC08D120T6MX1SA2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.05V @ 10A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2.7µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Die |
Package d'appareils du fournisseur | Sawn on foil |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDC08D120T6MX1SA2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IDC08D120T6MX1SA2-FT |
NSR0240MXWT5G
ON Semiconductor
NRVTS2H60ESFT3G
ON Semiconductor
SBRT3U40P1Q-7
Diodes Incorporated
SMBT1504T3G
ON Semiconductor
SDM20U30LPQ-7
Diodes Incorporated
SMBT1580LT1G
ON Semiconductor
1N4007 TR
Central Semiconductor Corp
SURS283T3G-VF01
ON Semiconductor
1N4454 BK
Central Semiconductor Corp
BAV21HWFQ-7
Diodes Incorporated
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel