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Infineon Technologies IAUS165N08S5N029ATMA1

Name: IAUS165N08S5N029ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUS165N08S5N029ATMA1
Price: 1.748336 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (521 reviews)

Numéro de pièce MFG: IAUS165N08S5N029ATMA1

quantité disponible: 80930 Pièces

Prix de référence: USD 1.748336

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fabricant: Infineon Technologies

Brève description: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ MOSFET N-CH 80V 660A PG-HSOG-8-1

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IAUS165N08S5N029ATMA1.pdf

IAUS165N08S5N029ATMA1 Caractéristiques

Référence fabricant	IAUS165N08S5N029ATMA1
Numéro de pièce future	FT-IAUS165N08S5N029ATMA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
IAUS165N08S5N029ATMA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	165A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 108µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	90nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6370pF @ 40V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	167W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PG-HSOG-8-1
Paquet / caisse	8-PowerSMD, Gull Wing
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IAUS165N08S5N029ATMA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IAUS165N08S5N029ATMA1-FT

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