maison / des produits / Condensateurs / Aluminium - Condensateurs polymères / HZA226M080F24VT-F
Référence fabricant | HZA226M080F24VT-F |
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Numéro de pièce future | FT-HZA226M080F24VT-F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HZA_V |
HZA226M080F24VT-F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Hybrid |
Capacitance | 22µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 80V |
ESR (résistance série équivalente) | 45 mOhm |
Durée de vie @ Temp. | 10000 Hrs @ 105°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Évaluations | AEC-Q200 |
Applications | Automotive, Bypass, Decoupling |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 155mA @ 220Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 1.55A @ 100kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | - |
Taille / Dimension | 0.315" Dia (8.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.413" (10.50mm) |
Surface du terrain de montage | 0.327" L x 0.327" W (8.30mm x 8.30mm) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Radial, Can - SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HZA226M080F24VT-F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HZA226M080F24VT-F-FT |
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Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
APA750-BGG456
Microsemi Corporation
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Intel
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Intel
LFXP15C-3FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
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Intel
EP2S180F1020I4N
Intel