maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / HUFA76633P3
Référence fabricant | HUFA76633P3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-HUFA76633P3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | UltraFET™ |
HUFA76633P3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 39A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 39A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 67nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1820pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 145W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220-3 |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HUFA76633P3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HUFA76633P3-FT |
FQP4N20
ON Semiconductor
FQP4N25
ON Semiconductor
FQP4N50
ON Semiconductor
FQP4N60
ON Semiconductor
FQP4N90
ON Semiconductor
FQP4P25
ON Semiconductor
FQP55N06
ON Semiconductor
FQP58N08
ON Semiconductor
FQP5N20
ON Semiconductor
FQP5N20L
ON Semiconductor
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel