maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / HUFA76419S3S
Référence fabricant | HUFA76419S3S |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-HUFA76419S3S |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | UltraFET™ |
HUFA76419S3S Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 29A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 29A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 75W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D²PAK (TO-263AB) |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HUFA76419S3S Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HUFA76419S3S-FT |
FQB5N80TM
ON Semiconductor
FQB5P10TM
ON Semiconductor
FQB5P20TM
ON Semiconductor
FQB630TM
ON Semiconductor
FQB65N06TM
ON Semiconductor
FQB6N15TM
ON Semiconductor
FQB6N25TM
ON Semiconductor
FQB6N50TM
ON Semiconductor
FQB6N60CTM
ON Semiconductor
FQB6N60TM
ON Semiconductor
XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel