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ON Semiconductor HUFA75639S3ST-F085A

Name: HUFA75639S3ST-F085A
Brand: ON Semiconductor
SKU: HUFA75639S3ST-F085A
Availability: InStock
Rating: 4.8 (199 reviews)

Numéro de pièce MFG: HUFA75639S3ST-F085A

quantité disponible: 92100 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: HUFA75639S3ST-F085A.pdf

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HUFA75639S3ST-F085A Caractéristiques

Référence fabricant	HUFA75639S3ST-F085A
Numéro de pièce future	FT-HUFA75639S3ST-F085A
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
HUFA75639S3ST-F085A Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	56A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 56A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	130nC @ 20V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	200W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	D²PAK (TO-263AB)
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HUFA75639S3ST-F085A Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	HUFA75639S3ST-F085A-FT

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