maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / HUFA75637S3ST
Référence fabricant | HUFA75637S3ST |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-HUFA75637S3ST |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | UltraFET™ |
HUFA75637S3ST Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 44A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 44A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 108nC @ 20V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 155W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D²PAK (TO-263AB) |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HUFA75637S3ST Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HUFA75637S3ST-FT |
FQB5N40TM
ON Semiconductor
FQB5N50CFTM
ON Semiconductor
FQB5N50TM
ON Semiconductor
FQB5N60CTM
ON Semiconductor
FQB5N60TM
ON Semiconductor
FQB5N80TM
ON Semiconductor
FQB5P10TM
ON Semiconductor
FQB5P20TM
ON Semiconductor
FQB630TM
ON Semiconductor
FQB65N06TM
ON Semiconductor
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel