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ON Semiconductor HUF76629D3ST-F085

Numéro de pièce MFG
HUF76629D3ST-F085
quantité disponible
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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HUF76629D3ST-F085 Caractéristiques

Référence fabricant HUF76629D3ST-F085
Numéro de pièce future FT-HUF76629D3ST-F085
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
HUF76629D3ST-F085 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
Vgs (Max) ±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1280pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TO-252, (D-Pak)
Paquet / caisse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HUF76629D3ST-F085 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange HUF76629D3ST-F085-FT

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