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Référence fabricant | HTEX20161T-4R7MDR |
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Numéro de pièce future | FT-HTEX20161T-4R7MDR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HTEX20161T |
HTEX20161T-4R7MDR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | - |
Matériau - Noyau | Metal |
Inductance | 4.7µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.5A |
Courant - Saturation | 1.7A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 250 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0806 (2016 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0806 |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HTEX20161T-4R7MDR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HTEX20161T-4R7MDR-FT |
CMLE063T-6R8MS
Delta Electronics/Cyntec
CMLE063T-8R2MS
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XCS20XL-4TQG144C
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LCMXO2-2000ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC1E-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-1PLG68M
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQ100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT176C
Xilinx Inc.
10CL006YU256I7G
Intel
EP4CGX15BF14C7
Intel
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
EP20K100EQC240-1
Intel