maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / HSMS-8207-BLKG
Référence fabricant | HSMS-8207-BLKG |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-HSMS-8207-BLKG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HSMS-8207-BLKG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky - 2 Pair Series Connection |
Tension - Inverse de crête (Max) | 4V |
Courant - Max | - |
Capacité @ Vr, F | 0.26pF @ 0V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 14 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Dissipation de puissance (max) | 75mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | TO-253-4, TO-253AA |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-143-4 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-8207-BLKG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HSMS-8207-BLKG-FT |
BAR 50-02V E6768
Infineon Technologies
BAR 63-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 64-02V E6127
Infineon Technologies
BAR 64-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 65-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 67-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 88-02V E6127
Infineon Technologies
BAR 88-02V E6327
Infineon Technologies
BAT 63-02V E6327
Infineon Technologies
BAR6303WE6327HTSA1
Infineon Technologies
XC3S1600E-4FG320I
Xilinx Inc.
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
XA3S100E-4VQG100Q
Xilinx Inc.
XC4020XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS600-2FGG484
Microsemi Corporation
EP3C16U256C6N
Intel
10AX032E4F27E3SG
Intel
LFE3-95EA-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H2F34I2LG
Intel
5AGXBB1D4F35C4N
Intel