maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / HSMS-286L-TR2G
Référence fabricant | HSMS-286L-TR2G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-HSMS-286L-TR2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HSMS-286L-TR2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky - 3 Independent |
Tension - Inverse de crête (Max) | 4V |
Courant - Max | - |
Capacité @ Vr, F | 0.25pF @ 0V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | - |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-286L-TR2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HSMS-286L-TR2G-FT |
DMV1500SDFD
STMicroelectronics
DMV1500MFD
STMicroelectronics
DMV1500HFD
STMicroelectronics
DMV1500HDFD
STMicroelectronics
DMV1500HDFD6
STMicroelectronics
DMV1500L
STMicroelectronics
DMV1500LF5
STMicroelectronics
DMV1500LFD
STMicroelectronics
HSMP-3816-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-3816-TR1G
Broadcom Limited
AX250-FGG484I
Microsemi Corporation
AGL030V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EPF6016AFC256-1
Intel
XC6VLX130T-L1FF784I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTMC7G3F31I3N
Intel
EP2AGX65CU17C6NES
Intel
EP2AGX190EF29I5
Intel
EP4CE40F19A7N
Intel