maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / HSMS-286L-TR1G
Référence fabricant | HSMS-286L-TR1G |
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Numéro de pièce future | FT-HSMS-286L-TR1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HSMS-286L-TR1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky - 3 Independent |
Tension - Inverse de crête (Max) | 4V |
Courant - Max | - |
Capacité @ Vr, F | 0.25pF @ 0V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | - |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-286L-TR1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HSMS-286L-TR1G-FT |
MPN3700G
ON Semiconductor
DMV1500SDFD
STMicroelectronics
DMV1500MFD
STMicroelectronics
DMV1500HFD
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DMV1500HDFD
STMicroelectronics
DMV1500HDFD6
STMicroelectronics
DMV1500L
STMicroelectronics
DMV1500LF5
STMicroelectronics
DMV1500LFD
STMicroelectronics
HSMP-3816-BLKG
Broadcom Limited
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC7S15-2FTGB196C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-N3FGG484C
Xilinx Inc.
P1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
EP4CGX75DF27C6
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5SGXEA9K3H40I3LN
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5SGXMA9K3H40I3LN
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Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8Q208I8
Intel
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Intel