maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / HSMS-2829-TR2G
Référence fabricant | HSMS-2829-TR2G |
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Numéro de pièce future | FT-HSMS-2829-TR2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HSMS-2829-TR2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky - Cross Over |
Tension - Inverse de crête (Max) | 15V |
Courant - Max | 1A |
Capacité @ Vr, F | 1pF @ 0V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 12 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | TO-253-4, TO-253AA |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-143-4 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-2829-TR2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HSMS-2829-TR2G-FT |
BAT6302VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR6702VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BA 892-02V E6127
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BA 892-02V E6327
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BA 892-02V E6433
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BA89202VH6327XTSA1
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BA89202VH6433XTMA1
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BAR 50-02V E6327
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BAR 63-02V E6327
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EP2C5T144I8
Intel
LFEC1E-5T144C
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A54SX08A-FG144A
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LFE2M100SE-5FN1152C
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EP3SE260F1517C2N
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XC5VLX85T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PLG84I
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A54SX16A-2FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5F484C
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5CGXFC7C6U19C6N
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