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Référence fabricant | HS3M R7G |
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Numéro de pièce future | FT-HS3M R7G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HS3M R7G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB (SMC) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS3M R7G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HS3M R7G-FT |
SK810C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK82C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK82C V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK83C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK83C V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK84C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK84C V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK85C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK85C V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK86C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel