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Référence fabricant | HS3JB R5G |
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Numéro de pièce future | FT-HS3JB R5G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HS3JB R5G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AA (SMB) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS3JB R5G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HS3JB R5G-FT |
SK52CHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK52CHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK53CHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK53CHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK55CHM6G
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SK55CHR7G
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SK59CHM6G
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SK59CHR7G
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SK810CHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK82CHM6G
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XC3S400A-4FG400I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208A
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1DQI
Microchip Technology
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5SGXMA3K2F35C2N
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5CGTFD5C5F23C7N
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10AX115R3F40I2SG
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