maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / HS3DB M4G
Référence fabricant | HS3DB M4G |
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Numéro de pièce future | FT-HS3DB M4G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HS3DB M4G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 80pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AA (SMB) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS3DB M4G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HS3DB M4G-FT |
SK53B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK54B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK54BHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK55B R5G
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SK56B R5G
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SKL13B R5G
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SS210 M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
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SS215 R5G
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SS24 M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
EPF10K50STC144-1
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XC7A75T-1FTG256I
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A54SX16A-1PQ208M
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XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
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LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C12F324I7
Intel