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Référence fabricant | HS2FA R3G |
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Numéro de pièce future | FT-HS2FA R3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HS2FA R3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 300V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 1.5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 300V |
Capacité @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS2FA R3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HS2FA R3G-FT |
SS14L RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS15L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS15L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS15L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS15LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS16L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS16L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel