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Référence fabricant | HS1MLW RVG |
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Numéro de pièce future | FT-HS1MLW RVG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HS1MLW RVG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | 7pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-123W |
Package d'appareils du fournisseur | SOD123W |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS1MLW RVG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HS1MLW RVG-FT |
SFS1004G MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SFS1004GHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SFS1005G MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SFS1005GHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SFS1006G MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SFS1006GHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SFS1007G MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SFS1007GHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SFS1008G MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SFS1008GHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel