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Référence fabricant | HS1ML R3G |
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Numéro de pièce future | FT-HS1ML R3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HS1ML R3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS1ML R3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HS1ML R3G-FT |
SS1H20LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110LSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS115LSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1KLS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS1H4LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSSE3U45HRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSSE3H60 RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1JLS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JLS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
EP20K30EFC144-2X
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX24-PQ160M
Microsemi Corporation
LFEC15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
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LFE2-6SE-6FN256I
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LCMXO2280C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6F23I7N
Intel
EP2AGX65DF29C6
Intel
EP20K160EQC240-1N
Intel