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Référence fabricant | HS1JL RQG |
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Numéro de pièce future | FT-HS1JL RQG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HS1JL RQG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS1JL RQG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HS1JL RQG-FT |
B0520LW RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BAT43W RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SD101AW RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SD101BW RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SD101CW RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SD103AW RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SD103BW RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SD103CW RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1KL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel