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Référence fabricant | HS1JL MTG |
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Numéro de pièce future | FT-HS1JL MTG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HS1JL MTG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS1JL MTG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HS1JL MTG-FT |
ES1DL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DLHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DLHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DLHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DLHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DLHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DLHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DLHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4CSG484Q
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4
Intel
EP4CE115F23C9L
Intel
EP3SE80F1152C3
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C5N
Intel
EP4SGX230FF35C4N
Intel