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Référence fabricant | HS1DL MQG |
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Numéro de pièce future | FT-HS1DL MQG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HS1DL MQG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS1DL MQG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HS1DL MQG-FT |
ES1BLHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BLHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BLHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BLHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1CL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1CL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1CL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1CL MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1CL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1CL RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel