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Référence fabricant | HS1DL M2G |
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Numéro de pièce future | FT-HS1DL M2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HS1DL M2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS1DL M2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HS1DL M2G-FT |
ES1BLHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BLHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BLHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BLHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BLHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BLHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1CL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1CL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1CL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1CL MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
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5SGXEB6R2F43I2LN
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LFE2M50SE-5FN484C
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LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
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5SGSMD3H2F35I2LN
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