maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / HS1AL R3G
Référence fabricant | HS1AL R3G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-HS1AL R3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HS1AL R3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS1AL R3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HS1AL R3G-FT |
SS26LHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26LHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26LHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26LHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26LHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26LHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29L M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29L MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29L MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29L MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel