maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / HS183100R
Référence fabricant | HS183100R |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-HS183100R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HS183100R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky, Reverse Polarity |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 180A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 910mV @ 180A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5mA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 4800pF @ 5V, 1MHz |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | HALF-PAK |
Package d'appareils du fournisseur | HALF-PAK |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS183100R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HS183100R-FT |
GP10GE-146M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-159E3/93
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-161E3/91
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-167E3/93
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-6329M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10J-051M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10J-086M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10J-6600M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10JE-099M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10K-041M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel