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Référence fabricant | HS123100R |
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Numéro de pièce future | FT-HS123100R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HS123100R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky, Reverse Polarity |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 120A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 910mV @ 120A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 3mA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 3000pF @ 5V, 1MHz |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | HALF-PAK |
Package d'appareils du fournisseur | HALF-PAK |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS123100R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HS123100R-FT |
GP10G-7010M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-110BE3/93
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-110E3/91
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-110E3/93
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-124E3/91
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-146M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-159E3/93
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-161E3/91
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-167E3/93
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-6329M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
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LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel