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Référence fabricant | HS123100R |
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Numéro de pièce future | FT-HS123100R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HS123100R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky, Reverse Polarity |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 120A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 910mV @ 120A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 3mA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 3000pF @ 5V, 1MHz |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | HALF-PAK |
Package d'appareils du fournisseur | HALF-PAK |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS123100R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HS123100R-FT |
GP10G-7010M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-110BE3/93
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-110E3/91
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-110E3/93
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-124E3/91
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-146M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-159E3/93
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-161E3/91
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-167E3/93
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-6329M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel