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Référence fabricant | HQCCWM510GAH6A |
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Numéro de pièce future | FT-HQCCWM510GAH6A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Hi-Q® |
HQCCWM510GAH6A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 51pF |
Tolérance | ±2% |
Tension - nominale | 2500V (2.5kV) |
Coéfficent de température | P90 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Caractéristiques | High Q, Low Loss, Ultra Low ESR, High Voltage |
Évaluations | - |
Applications | RF, Microwave, High Frequency |
Taux d'échec | - |
Type de montage | Surface Mount, MLCC |
Paquet / caisse | 2325 (5864 Metric) |
Taille / Dimension | 0.230" L x 0.250" W (5.84mm x 6.35mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Épaisseur (Max) | 0.145" (3.68mm) |
Espacement des fils | - |
Style de plomb | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HQCCWM510GAH6A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HQCCWM510GAH6A-FT |
HQCEWM471GAH6A
AVX Corporation
HQCEMM2R0BAH6A
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A40MX04-3VQG80
Microsemi Corporation
XC2V2000-6FGG676C
Xilinx Inc.
EP2C70F672C7
Intel
5SGXEABN3F45I4N
Intel
AGL1000V5-CS281
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AGL400V5-CSG196I
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29I3G
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EP4CE30F29C8LN
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MP20K400BC652
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EPF10K50EQC208-1N
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