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Référence fabricant | HQCCWM200GAH6A |
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Numéro de pièce future | FT-HQCCWM200GAH6A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Hi-Q® |
HQCCWM200GAH6A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 20pF |
Tolérance | ±2% |
Tension - nominale | 2500V (2.5kV) |
Coéfficent de température | P90 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Caractéristiques | High Q, Low Loss, Ultra Low ESR, High Voltage |
Évaluations | - |
Applications | RF, Microwave, High Frequency |
Taux d'échec | - |
Type de montage | Surface Mount, MLCC |
Paquet / caisse | 2325 (5864 Metric) |
Taille / Dimension | 0.230" L x 0.250" W (5.84mm x 6.35mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Épaisseur (Max) | 0.145" (3.68mm) |
Espacement des fils | - |
Style de plomb | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HQCCWM200GAH6A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HQCCWM200GAH6A-FT |
HQCEJA221JAT6A
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AGLN015V5-QNG68
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XC6SLX100T-3FG676I
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M1A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
M2GL050T-1VF400I
Microsemi Corporation
LAE3-17EA-6FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7H3F35I4N
Intel
XC7V585T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
APA075-TQ100
Microsemi Corporation
EP2C5Q208C8N
Intel
EP20K30EQC208-1
Intel