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Référence fabricant | HQCCWM120GAH6A |
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Numéro de pièce future | FT-HQCCWM120GAH6A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Hi-Q® |
HQCCWM120GAH6A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 12pF |
Tolérance | ±2% |
Tension - nominale | 2500V (2.5kV) |
Coéfficent de température | P90 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Caractéristiques | High Q, Low Loss, Ultra Low ESR, High Voltage |
Évaluations | - |
Applications | RF, Microwave, High Frequency |
Taux d'échec | - |
Type de montage | Surface Mount, MLCC |
Paquet / caisse | 2325 (5864 Metric) |
Taille / Dimension | 0.230" L x 0.250" W (5.84mm x 6.35mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Épaisseur (Max) | 0.145" (3.68mm) |
Espacement des fils | - |
Style de plomb | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HQCCWM120GAH6A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HQCCWM120GAH6A-FT |
HQCEMA220JAT6A
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HQCEMA330JAT6A
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AVX Corporation
XCV100E-8FG256C
Xilinx Inc.
M2GL050T-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP3C80F484C8
Intel
5CEBA4F17C6N
Intel
5SGXEA5N3F45C2N
Intel
XC2V1500-5FFG896I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2BG329I
Microsemi Corporation
A3PE1500-1FGG676I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1
Intel