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Toshiba Semiconductor and Storage HN4K03JUTE85LF

Name: HN4K03JUTE85LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: HN4K03JUTE85LF
Availability: InStock
Rating: 5.0 (61 reviews)

Numéro de pièce MFG: HN4K03JUTE85LF

quantité disponible: 65480 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: - MOSFET N-CH 20V 0.1A USV

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: HN4K03JUTE85LF.pdf

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HN4K03JUTE85LF Caractéristiques

Référence fabricant	HN4K03JUTE85LF
Numéro de pièce future	FT-HN4K03JUTE85LF
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
HN4K03JUTE85LF Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	100mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 Ohm @ 10mA, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	8.5pF @ 3V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	200mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	USV
Paquet / caisse	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HN4K03JUTE85LF Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	HN4K03JUTE85LF-FT

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