maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / HN1D02FU(T5L,F,T)
Référence fabricant | HN1D02FU(T5L,F,T) |
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Numéro de pièce future | FT-HN1D02FU(T5L,F,T) |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HN1D02FU(T5L,F,T) Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 80V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 100mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 100mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 80V |
Température de fonctionnement - Jonction | 125°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | US6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HN1D02FU(T5L,F,T) Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HN1D02FU(T5L,F,T)-FT |
SS8P6C-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS8P6CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10CSH01-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10CSH01HM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10CSH02-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10CSH02-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10CSH02HM3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10CSH02HM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-4CSH01-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-4CSH01-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
AT6002A-4AI
Microchip Technology
M2GL025T-1VFG400I
Microsemi Corporation
10CX085YU484I5G
Intel
10M08DCF256I7G
Intel
5SGSMD8K2F40I2LN
Intel
XC4VSX35-10FFG668C
Xilinx Inc.
XC7A50T-L2CPG236E
Xilinx Inc.
AGLP125V5-CSG289I
Microsemi Corporation
EP20K160EQC240-3
Intel
EPF10K10QI208-4N
Intel