maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux / HN1B01FDW1T1G
Référence fabricant | HN1B01FDW1T1G |
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Numéro de pièce future | FT-HN1B01FDW1T1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HN1B01FDW1T1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN, PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 200mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 2µA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
Puissance - Max | 380mW |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-74, SOT-457 |
Package d'appareils du fournisseur | SC-74 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HN1B01FDW1T1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HN1B01FDW1T1G-FT |
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